三星Display今年底构建QNED试生产线，明年底开始试生产

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三星Display把QNED（Quantumdot Nano Light Emitting Diode）定为下一代Display技术，已经着手进行研发。

QNED是利用纳米级超微细半导体粒子——量子点（Quantum dot）和GaN发光二极管（GaNLight Emitting Diode）的Display技术。该技术理论上要比三星Display正在研发中的另一项下一代Display技术——QD-OLED（Quantum dot-Organic Light Emitting Diode）的Display寿命更长、亮度更高、功耗更低、无Burn-in现象，更具技术优势。

LED(Light Emitting Diode)是具有阳极特性的P型半导体和具有阴极特性的N型半导体的双重接合结构，加电压后N层的电子向P层移动而产生光能，根据材料化合物的不同波长发出不同颜色。

QNED的光源——GaN LED利用无机化合物GaN发出光三原色（红绿蓝）中能量最 高的蓝光，但QD-OLED的光源不是LED，而是有机化合物蓝色OLED元件，从材料特性上来看，有机化合比无极化合物不耐受氧气或水分，容易出现Burn-in、寿命较短。三星Display为克服QD-OLED的缺点决定着手研发QNED。

竞争公司LGD已经率先开发出了WOLED(WhiteOLED)技术并占领了大尺寸OLED市场，QD-OLED和WOLED一样容易出现Burn in现象（尤其是蓝色OLED元件），因此三星Display欲研发出没有Burn in缺点的下一代Display。

业界预测，QNED技术未来将发展成LED自身能发出光三原色的Display技术，就像Micro LED Display一样，一个GaN LED相当于一个像素，将GaN LED制作成纳米级立体结构，理论上一个元件可以形成各种波长的光线，生产成本要比MicroLED更具优势。

实际上韩国科学技术院（KAIST）在2012年就成功用纳米级GaN LED元件制作出六角金字塔结构，实现了蓝绿色、黄色、橘色、白色等各种颜色。

但是，三星Display还不能保障QNED技术的收益性，因此初期计划先把GaN LED做为光源，和LCD、WOLED技术类似，先制作棍状的GaNLED Nanorods，发出的光线经过QD Sheet和Color Filter来形成光三原色。