兆驰、乾照、国星公布Micro LED专利

   近日，兆驰半导体、乾照光电、国星半导体陆续公示Micro LED相关专利。

   ▋ 兆驰半导体：Micro-LED检测设备

   7月16日，兆驰半导体公布“Micro-LED检测设备”专利进入授权阶段。该专利详情如下：

   本实用新型公开了一种Micro-LED检测设备，包括从下到上依次设置的紫外面光源、透明基板、光罩板、滤光片、CCD检测探头，所述透明基板上放置有待测Micro-LED芯片，所述光罩板上设有与所述待测Micro-LED芯片所处位置相匹配的透光孔。

   本实用新型提供的Micro-LED检测设备能够快速筛查出异常芯片并进行剔除。

   ▋ 厦门未来显示技术研究院：一种Micro-LED芯片及其制备方法

   7月12日，厦门未来显示技术研究院公布了“一种Micro-LED芯片及其制备方法”，该专利进入申请公布阶段。

   据了解，厦门未来显示技术研究院有限公司，厦门乾照光电股份有限公司共持股94.7867%，并成功点亮了一款面向智能穿戴和移动终端的1.63英寸Micro-LED全彩显示模组，这项成果已经在天马微电子公司完成了落地转化。

   该专利详情如下：本申请公开了一种MicroLED芯片及其制备方法，涉及半导体发光二极管领域，该Micro LED芯片包括：衬底和量子阱层，量子阱层中的AlInP势垒层的Al组分的含量在第 一方向上逐渐增加，使得GaInP势阱层和AlInP势垒层之间的势能差逐渐增大，并且由于铝组分较高的势垒层具有更高的势垒，能够将载流子束缚在有源区内增加电子空穴复合几率，增强了电流的横向扩展和纵向扩展，从而提高MicroLED芯片的发光效率和亮度；同时还能够保证高铝组分的AlInP势垒层与低势能的GaInP势阱层在材料上不存在失配，提高有源区的晶体生长质量，进一步提高Micro LED芯片的发光效率。

   ▋ 国星半导体：两个Micro LED专利进入申请公布阶段

   7月19日，国星半导体公布了“Micro-LED显示装置及其制备方法”、“Micro-LED显示面板及其制备方法”两个专利，均已进入申请公布阶段。

   ■ Micro-LED显示装置及其制备方法

   本发明公开了一种Micro LED显示装置的制备方法，包括以下步骤：

   (1)提供Micro LED发光结构，包括依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，在所述衬底背面制备应力补偿层；

   (2)在所述P型半导体层上制备电流扩展层、第 一键合层和第 一临时键合层；

   (3)提供驱动基板，并在所述驱动基板表面设置第二键合层和第二临时键合层；

   (4)利用键合工艺将Micro LED芯片及驱动基板键合；

   (5)制备单个Micro LED像素；

   (6)在所述单个Micro LED像素间沉积钝化层，并暴露出N型半导体层；

   (7)在所述钝化层外制备共N电极；

   (8)在所述Micro LED像素之间制备金属反射层，得到MicroLED显示装置。本发明能够控制键合过程中应力，从而提高键合良率。

   ■ Micro-LED显示面板及其制备方法

   本发明公开了一种Micro LED显示面板及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

   (1) 提供半导体发光结构；

   (2) 在半导体发光结构上制备电流扩展层、第 一金属反射层和第 一键合层；

   (3) 提供驱动基板，驱动基板表面间隔设有第二键合层；

   (4) 将半导体发光结构键合至驱动基板上，形成金属键合层；

   (5) 制备出单个Micro LED像素；

   (6) 在单个Micro LED像素间沉积钝化层，并暴露出N型半导体层；

   (7) 在所述钝化层外制备共N电极；

   (8) 在Micro LED像素之间制备第二金属反射层，并在第二金属反射层上喷涂荧光粉层，得到Micro LED显示面板。本发明能够减少键合金属刻蚀的厚度，从而减少刻蚀对芯片侧壁的损伤。