厦门未来显示技术研究院:一种Micro-LED芯片及其制备方法
类别:行业新闻发表于:2024-07-22 16:18
摘要:7月12日,厦门未来显示技术研究院公布了“一种Micro-LED芯片及其制备方法”,该专利进入申请公布阶段。
7月12日,厦门未来显示技术研究院公布了“一种Micro-LED芯片及其制备方法”,该专利进入申请公布阶段。
据行家说Display了解,厦门未来显示技术研究院有限公司,厦门乾照光电股份有限公司共持股94.7867%,并成功点亮了一款面向智能穿戴和移动终端的1.63英寸Micro-LED全彩显示模组,这项成果已经在天马微电子公司完成了落地转化。
该专利详情如下:
本申请公开了一种MicroLED芯片及其制备方法,涉及半导体发光二极管领域,该Micro LED芯片包括:衬底和量子阱层,量子阱层中的AlInP势垒层的Al组分的含量在第 一方向上逐渐增加,使得GaInP势阱层和AlInP势垒层之间的势能差逐渐增大,并且由于铝组分较高的势垒层具有更高的势垒,能够将载流子束缚在有源区内增加电子空穴复合几率,增强了电流的横向扩展和纵向扩展,从而提高MicroLED芯片的发光效率和亮度;同时还能够保证高铝组分的AlInP势垒层与低势能的GaInP势阱层在材料上不存在失配,提高有源区的晶体生长质量,进一步提高Micro LED芯片的发光效率。
来源:行家说新闻中心
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