又有3项Micro LED 专利公布

近日，士兰、镭昱光电、晶能光电陆续公示Micro LED相关专利。

士兰：Micro LED显示基板及其制备方法、微型发光二极管及其制备方法

厦门士兰明镓化合物半导体有限公司发布授权公告，其“一种Micro LED显示基板及其制备方法、微型发光二极管及其制备方法”的发明专利进入审中阶段。

所述微型发光二极管包括衬底；绝缘介质层；通孔组，位于绝缘介质层中，其包括间隔设置的第 一通孔、第二通孔和第三通孔；蓝光发光单元包括蓝光外延层和与蓝光外延层电连接的蓝光正电极，位于第 一通孔中；绿光发光单元包括绿光外延层和与绿光外延层电连接的绿光正电极，位于第二通孔中；红光发光单元包括红光外延层和与红光外延层电连接的红光正电极，位于第三通孔中，且蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层共用第 一负电极。

本发明通过绝缘介质层中的通孔组制备出微型发光二极管，可以避免外延层侧壁损伤带来的辐射复合效率低的现象，进而可以提高微型发光二极管的性能和可靠性。

镭昱光电：一种MicroLED微显示芯片封装结构及其封装方法

6月25日，镭昱光电科技（苏州）有限公司“一种MicroLED微显示芯片封装结构及其封装方法”的发明专利进入审中公布阶段。

据介绍，发明中所述Micro LED微显示芯片封装结构包括Micro LED微显示芯片与图形化坝体。

所述图形化坝体形成于所述Micro LED微显示芯片的支撑区域，所述支撑区域位于所述Micro LED微显示芯片的显示区和输入/输出端子区之外的区域；所述图形化坝体包括第 一坝体，所述第 一坝体围合设置于所述显示区周圈。

本申请在Micro LED微显示芯片上形成图形化坝体，并主要以第 一坝体作为加工转运的支撑结构，有效避免加工转运过程中接触Micro LED微显示芯片表面造成的接触污染和损伤，提升Micro LED微显示芯片封装结构的结构精准性和性能稳定性。

晶能光电：Micro LED发光阵列及其制备方法

晶能光电股份有限公司“一种Micro LED发光阵列及其制备方法”的发明专利进入审中公布阶段。

在Micro LED发光阵列中，包括：表面配置有驱动电路的驱动基板、阵列排布于驱动基板上的发光单元、形成于各发光单元中第二半导体层表面的反射结构、通过刻蚀形成于发光单元之间的N型沟槽、导电连接至N型沟槽中第 一半导体层的N型金属层，及沿P型通孔导电连接至反射结构的P型金属层、发光单元通过所述N型金属层和P型金属层焊接于驱动基板表面与之匹配的驱动电路上。

该发光阵列中主要以N型金属层于N型沟槽内部与第 一半导体层侧壁进行欧姆接触，减少了对发光区域的刻蚀，相对增大了有效发光面积，能够有效地缩小发光单元之间的间隔。