士兰微8寸SiC项目开工

文章转载自：士兰微

6月18日，士兰微电子8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（士兰集宏）在厦门市海沧区正式开工。

项目总投资为120亿元人民币，分两期建设，两期建设完成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片（6万片/月）的生产能力。

其中第 一期项目总投资70亿元，预计在2025年三季度末实现初步通线，2025年四季度试生产并实现产出2万片的目标；2026年—2028年持续进行产能爬坡，最终将形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

此次士兰微电子8英寸SiC制造生产线项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两大重要项目后的又一重大项目布局。项目建成后将较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8吋碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

士兰微电子成立于1997年，2003年3月在上海证券交易所主板上市，已发展成为国内主要的综合型半导体设计与制造（IDM）企业之一。公司专注于硅半导体和化合物半导体产品的设计、制造和封装，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。