国星半导体：披露两则Micro LED专利

国星半导体两项Micro LED专利有新进展，均处于授权阶段。

“一种批量转移Micro LED芯片的方法和装置”：

包括：提供一带有通孔的基板；在基板的表面喷洒吸附液体；将Micro LED芯片放置在基板的表面；使通孔处于负压状态，将Micro LED芯片吸附在通孔上；除去通孔以外的Micro LED芯片和吸附液体；除去通孔内的吸附液体。

通过将基板上的通孔处于负压状态，同时利用吸附液体的表面张力，将随机、零散的Micro LED芯片吸附在通孔上，从而实现准确定位，大量零散的Micro LED芯片以通孔为定位点，实现整齐排列，不需要人工一颗一颗来进行转移，实现了大批量转移。相应的，还提供了一种用于批量转移Micro LED芯片的装置，结构简单，易于操作。

“一种多合一Micro LED芯片及其制作方法”：

所述Micro LED芯片包括至少三个发光结构、第 一绝缘层、第二绝缘层、第 一电极、第二电极、金属连接层和连接电极，所述金属连接层设置在相邻两个发光结构之间，以将相邻的发光结构形成连接；所述连接电极设置发光结构的背面和金属连接层上，将发光结构与金属连接层形成导电连接。

本发明在发光结构之间形成金属连接层，将几个发光结构连接在一起，形成一个整体，有效减少转移的次数，提高生产效率。