量产关键年进入尾声，Micro LED进展如何？

   2023年只剩下2个月的时间了，而2023年被认为是Micro LED作为显示技术迈入量产的关键年，Micro LED技术经过多年的研发和改进，2023年将迎来技术的成熟度提高。这包括更高的LED芯片密度、更小的LED尺寸、更高的亮度和更低的能耗......这些技术改进使Micro LED在大尺寸显示屏上表现出色，满足了市场需求。

   在过去几年中，Micro LED显示技术已经实现了从实验室到商业化产品的关键转变。许多公司已经成功开发出了Micro LED显示屏原型，并在公共展示中展示了其潜力。这种研发成果转化的加速将为进一步推动Micro LED的量产做出重要贡献。在这个关键年，Micro LED取得了哪些突破？

01 Micro LED成本不断下降

   作为新型显示技术之一，Micro LED兼顾了OLED与LCD的优势，但却存在难以量产、成本高昂的缺点。根据市场调研机构公布的最 新研究结果，目前10-14英寸的Micro LED面板，其成本可以达到6000-10000美元/块。这意味着，一块10-14英寸的Micro LED面板，成本价最 高可以达到人民币71800元左右。高昂的成本阻碍了Micro LED的发展，因此Micro LED成本下降打开市场空间是必然的趋势，不少企业已经在芯片上做文章。

   首先，Micro LED使用的是小于100微米的芯片，理论上说，芯片越小物料成本越低，据预计，未来四年期间，Micro LED芯片所能达成的成本降幅，每年至少在20%至25%，所以缩小芯片尺寸是降低成本的第 一个方式；其次是降低材料成本，有的企业改进Micro LED显示屏所需的材料，寻找更经济、可持续的替代材料，以降低原材料成本。目前市场上使用的是PCB板居多，成本占比也比较高，为了解决这个问题，如京东方、利亚德等企业研究玻璃基板等代替PCB板来降低成本。

02 巨量转移技术和红光亮度取得突破

   Micro LED的最大挑战之一是良率问题。各家厂商正在全力以赴，试图解决这一关键问题。现在，值得期待的是激光转移技术，它的良率远高于传统的印章转移技术。巨量转移技术曾被视为瓶颈，巨量转移的难点在于，如何提升转移良率到99.9999%（俗称的「六个九」），且每颗芯片的精准度必须控制在正负0.5μm以内，但在过去两年里已经取得了显著改善。今年5月，雷曼光电表示巨量转移技术问题已解决，Micro LED用于家庭超大屏已没问题，但是用于AR领域还要进一步突破。

a) 滚轮转印设备示意图；b) 转印制程（左到右），器件从供体释放到转移头，再被放置到接收芯片上

   日前，英国斯特拉思克莱德大学近期宣布开发Micro LED新型巨量转移技术，研究人员表示，透过连续滚轮转移技术，可以实现Micro LED的巨量集成，可在一次转印中转移一个320x240像素阵列，相当于75000颗以上的Micro LED，相对位置精度达亚微米级，而且能够保持像素阵列的几何结构，像素空间定位误差与设计布局的偏差控制1μm以内。

   2023年10月8日消息，Micro LED技术大厂上海显耀显示科技Jade Bird Display(以下简称“JBD”)宣布，其自主研发的0.13英寸MicroLED红光芯片亮度突破100万尼特大关，再次刷新业界纪录。据介绍，本次红光实现100万nits亮度，得益于JBD在多项技术上的重大突破，包括在材料生长技术、非辐射复合抑制技术及光束发散角控制等方面。

03 新型封装技术表现亮眼

   MIP成为Micro LED的理想选择。MIP（Micro LED In Package）是一种新型封装技术，其工艺流程为：将Micro LED芯片通过巨量转移技术转移到载板上，进行封装，切割成小封装体，再将小封装体分光混光，接着再进行贴片工艺，同时可支持屏体表面覆膜，并完成显示屏的制作。

   MIP具有可混光、高均匀性、无Mura效应，无需经过高成本的返修，直接进行测试分选，减少点测分选难度等多方面优势。同时，MIP针对大尺寸Micro LED规模化量产的兼容度，以及终端显示屏厂商的接受程度，都有着独特的优势。在更小间距、更大尺寸的终端显示应用场景，MIP能规避良率、墨色一致性、均匀度、检测返修、成本等多方面的核心瓶颈，成为Micro LED显示屏生产的理想选择。

   ·对于LED芯片尺寸的要求，通常情况下，SMD和COB只能封装双边尺寸大于100μm的LED芯片，MIP可封装的LED芯片尺寸可在60um以下；

   ·在灯珠尺寸方面，一般情况下，主流的SMD尺寸多是在1010以上，而与之对应的MIP目前的主要尺寸都小于0808；

   ·在显示层面，MIP的点间距可以做到最小，其次是COB，SMD在点间距方面受到的限制较为明显；

   总体而言，在LED芯片尺寸、电气连接、对比度、贴装环节、可修复性、平整度、混灯分bin等方面，MIP均优于SMD、COB。由此可见，MIP适用更小的芯片，减小间距和降低成本的空间更大，未来Micro LED的趋势确定，MIP优势明显。

04 Micro LED新产品层出不穷

   今年利亚德发布新一代Micro LED 8K（P0.6）超高清显示屏，使用Micro LED芯片、倒装技术、MIP无焊线封装工艺，实现发光芯片的巨量转移。

   7月19日，利亚德首次展出最 新技术成果——Micro LED透明屏(P0.6)。采用微米级全倒装无衬底Micro LED芯片，该款芯片尺寸仅20*40μm，为全倒装无衬底Micro LED芯片，发光效率高，发光角度大，巨量转移良率高。

   9月份消息，利亚德P0.9间距Micro LED电影屏(长3.8米，高2米)正式通过DCI权威认证，成为全球首块影院级Micro LED产品。

   10月26日，雷曼光电宣布其Micro LED显示技术研发取得又一次重大突破，携手沃格光电正式推出全球首款PM驱动玻璃基Micro LED显示屏。这款雷曼PM驱动玻璃基Micro LED显示屏使用沃格光电推出的TGV玻璃基板和雷曼光电独有的新型COB封装专利技术，工艺更简化，大幅降低了Micro LED显示屏制造成本。同时，高性能PM驱动IC在灰度等级、刷新率、低灰画质、功耗等方面拥有优异的性能。采用PM驱动玻璃基的Micro LED显示屏极其轻薄、平整度极高、功耗非常低、散热很快、色彩还原度超高，是兼顾显示效果与成本的极具性价比的产品。

   9月30日，辰显光电宣布成功点亮全球首款102英寸P0.5(像素间距0.5mm)TFT基Micro LED拼接屏。这款新品采用25微米LED芯片，搭载国内首款自主开发Micro-LED专用驱动IC，全球首次达到10bit色深，同时可以实现240 Hz高刷新率以及60微米以内的无缝自由拼接。此外，这款拼接屏还同时具备高亮度、高对比度、高色彩饱和度、长寿命等卓越特性。

结语

   市场上普遍认为，当前Micro LED处于大规模商用的萌芽期，它的市场爆发要到2025年后。即使当前还难以判断哪一年Micro LED可以实现大规模商用，但众多屏企投入Micro LED产业链的局面有利于推进这一进程，提供最 佳解决方案。零组件的改善、制成最 佳化匹配、设备的技术突破，在量产与应用多元化的吸引下，2024年将有更多厂商投入该领域的发展，在健全供应链的同时，也进一步优化Micro LED的成本架构。

   由于各个世代的技术均有对应的目标市场，未来几年内不太可能出现某个技术一家独大的情况。不过可以肯定的是Micro LED就是未来显示技术的黄金赛道，提前布局相关技术的厂商将持续受益。