下一代高端显示材料登场 辰显光电改善“微LED显示屏”稳定性

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集微网消息，Micro-LED（微发光二极管，微LED）是一种新一代的显示技术，相比于现有的OLED技术，这种微LED显示器的亮度更高、发光效率更好，且功耗更低，非常适合应用在高端电子数码产品中。

在目前的传统技术中，微LED显示面板通常使用微LED芯片发出出射光，再对出射光进行颜色转换得到三色光。但这种传统技术在实际的实现过程中的显示效果较差，无法发挥出其优 秀的功能特性。

因此，辰显光电在2020年5月14日申请了一项名为“显示面板及其制备方法”的发明专利（申请号：202010409811.2），申请人为成都辰显光电有限公司。

在该专利中，发明一种新型的微LED显示面板的制备方案，可以有效完成特定颜色的转换。根据该方案目前公开的相关资料，让我们一起来看看这项发明专利吧。

如上图，为该专利中发明的显示面板的制备方法工艺流程示意图，这种显示面板的制备选取LED基板作为底板，该基板包括背板110和LED芯片120，LED芯片间隔设置于TFT背板上，而LED芯片则正是微LED芯片，其在TFT电路的驱动下可以发光，通常尺寸在数微米至数十微米之间。

首先，在生长衬底上生长出LED芯片后，先将LED芯片粘附于临时基板上，再通过激光剥离等方法移除生长衬底，从而在临时基板上形成分立的LED芯片阵列。然后通过转印头拾取LED芯片，移动至TFT背板上，并采用加热焊接等方式固化LED芯片与TFT背板之间的连接。

其次，在透明的第 一基板130上形成反射层140和第1阻挡层150，第1阻挡层上设置有许多个第1收纳腔。当LED芯片发出蓝光时，该反射层可以选择性的透过蓝光，即该反射层仅可以使蓝光透射，而反射其它颜色的光。

最后，将第1基板与LED基板进行贴合，使第1阻挡层设置于TFT背板和第1基板之间，LED芯片分别设置于第1收纳腔中，且LED芯片在第1基板上的正投影与反射层在第1基板上的正投影交叠，使得在第1基板远离LED基板的一侧形成颜色转换层，从而实现对蓝光颜色的转换。

上图中，展示了这种显示面板的剖面结构示意图，可以较为清楚地看到，该显示面板包括LED基板100、第1基板130、第1阻挡层150和反射层140。在第1基板上设置有第1表面132，其靠近TFT背板，在第1表面上有反射层，该反射层即是分布式布拉格反射层，其包括许多个反射器142，这些反射器收纳在第1收纳腔中。由此，通过基板和TFT的背板贴合，来提升反射层膜厚度的均匀性，防止制备第1阻挡层时高温影响TFT背板的稳定性。

以上就是辰显光电发明的搭载微LED芯片的显示面板及其制备方案，该方案摆脱了传统技术中需要对微LED芯片的出射光进行颜色转换的步骤，通过在远离LED基板的一侧设置颜色转换层来实现颜色的转换，并将基板和TFT背板对位贴合，来提高高温下的材料绑定稳定性，从而有效提高显示面板的显示效果。