兆驰、国星、聚灿、三安等芯片厂商动态一览

文章转载自：每日经济新闻

近日，兆驰股份、国星光电、聚灿光电、三安光电等四家LED相关企业发布了他们的动态。

兆驰股份LED芯片满产满销 近期价格将上调

3月5日，兆驰股份发布的新研报，披露公司LED芯片项目进度及LED外延及芯片的核心优势等情况。

据兆驰股份表示，兆驰半导体的氮化镓LED芯片项目2019年第四季度开始投产，目前蓝光芯片的月产能已达到50余万片四寸片。红黄光芯片项目也在持续推进中，预计2021年投产。

在出货量方面，兆驰半导体的LED芯片销售进展比较好，出货量在行业里稳居前列，目前是满产满销的状态，部分在手订单因为产能原因还需延期供货，产品价格近期也有上调。客户方面，目前除小部分供给兆驰光元外，大部分实现对外销售，持续给国内厂商和台系厂商供货，同时，已通过韩系厂商验厂并已开始供货。

兆驰半导体作为LED芯片行业的后起之秀，拥有以下核心优势：

第 一、厂房占地面积逾16万平方米，具有单一主体厂房最大外延及芯片产能，同时进行集约化管理，极大地提高了生产效率；

第二、已采购目前业内最先进的自动化设备，在成本、效率、稳定性等方面具有后发优势，并与MES系统整合，进行自动化生产，能够节约人力，提升良率；

第三、自建气站，设立PSS处理，具有较强的成本优势；

第四、引进世界一流的技术团队，具备Mini LED的研发和生产能力，并已在Micro LED领域做技术储备、专利储备，为公司高端技术实力奠定坚实的基础；

第五、政策支持，当地政府在设备、人才、税收等多方面给予优惠，并通过产业基金向兆驰半导体增资，与此同时，还引进上下游企业，逐步完成配套群集，进一步加强项目优势；

第六、全产业链支持，公司不仅在LED外延芯片项目，在LED封装及应用照明领域均有布局，打造 LED 上中下游全产业链垂直整合协同发展，且外延芯片项目及封装扩建项目都设立在南昌，物流费用大幅降低，兆驰半导体目前已平稳起步，未来将持续开拓市场，打造面向国际国内的核心竞争力。

国星光电2.2亿元增资子公司国星半导体

近日，国星光电发布《关于向全资子公司增资的公告》，公告披露：为满足全资子公司佛山市国星半导体技术有限公司（以下简称“国星半导体”）提升产能及优化产品结构需求，国星光电于 2021 年 3 月 4 日召开第五届董事会第七次会议审议通过了《关于向全资子公司增资的议案》，公司拟以自有资金 22,000 万元对国星半导体进行增资，本次增资完成后国星半导体注册资本由人民币 60,000 万元增加至人民币 82,000 万元。

国星半导体为国星光电的全资子公司，主要业务为研发、生产和销售蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片。目前，国星半导体的Mini LED芯片已具备量产能力，已通过客户验证规格，可供应直显与背光产品，并已经实现小批量出货。

值得注意的是，国星半导体于2020年5月15日申请了一项名为“大发光角度倒装Mini LED芯片及其制备方法”的发明专利（申请号: 202010413988.X）。其Mini LED芯片专利，通过棱台结构设计，可有效提升Mini LED的发光角度，进而使得Mini LED在大规格的屏幕上有着广泛应用。

聚灿光电生产、产能、出货量新进度

3月4日，聚灿光电接受机构调研，并披露了投资者相关关系记录表。其中包括宿迁生产基地新产线进度、产能利用率、芯片布局以及Mini LED市场出货量等具体情况。

据聚灿光电表示，公司目前利用自有资金进行 LED 扩产项目有序推进中，关于此次非公开发行的募投项目已完成前期备案、环评批复等工作，目前尚未实施。

在产能方面，今年聚灿光电产能利用率一直维持在高位，订单饱和，交货有序。同时受益 2020Q4 以来，市场需求强劲，非公开发行股票项目的推进，将稳定支撑公司的战略发展，进一步确立更大的领先优势。

在红黄光芯片的布局上，聚灿光电已完成备案、取得环评资质，该批复同意聚灿宿迁在宿迁经济技术开发区拟定地点建设年产红黄光外延片、芯片 240 万片，蓝绿光外延片、芯片 1560 万片扩建项目。在未来资金充裕的情况下，聚灿光电将尽快进行项目管理及运营。

谈及Mini LED市场出货量，聚灿光电表示，目前在Mini芯片上已具备相关技术布局，受限于产能不足，目前还无法向下游客户大批量供货。

三安光电预计Mini/Micro LED产能逐步释放

三安光电3月4日在投资者互动平台表示，公司全资子公司湖北三安主要从事Mini/Micro LED芯片业务，泉州三安半导体配备了Mini/Micro LED产能，预计今年两厂产能将逐步释放。

据了解，三安光电十分看好Mini/Micro LED市场发展。据悉，三安光电总投资120亿的 Mini/Micro LED芯片项目于2月封顶，3月进行投产。该项目用地约756亩，总投资120亿元，总建筑面积47.77万平方米，将建成Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发生产基地，预计将形成年产Mini LED芯片210万片、Micro LED芯片26万片、4K显示屏用封装产品84000台的研发制造能力。