雷军看好的技术,三安、华灿、国星等都在做
摘要:“氮化镓是第三代半导体材质,它具有超强导热效率、耐高温、耐酸碱等特性,关键在于它可以做到普通充电器近1/3大小尺寸,具有非常好的便携性。”发布会上小米董事长雷军介绍。手机大厂的表态,带动了国内相关的LED企业。就在小米发布会结束的第二天,三安光电盘中上涨超7%、士兰微盘中上涨超8%。事实上,关于氮化镓,三安、华灿、士兰微、国星等LED大厂早已进行了多方布局。
2020年2月13日,小米通过线上直播的形式,面向百万观众,正式发布了小米10Pro系列手机以及部分配件产品。其中,小米65W氮化镓(GaN)充电器成为本次发布会的一大重要亮点。
“氮化镓是第三代半导体材质,它具有超强导热效率、耐高温、耐酸碱等特性,关键在于它可以做到普通充电器近1/3大小尺寸,具有非常好的便携性。”发布会上小米董事长雷军介绍。同时,雷军还在微博上多次科普氮化镓充电器的好处。
看中氮化镓的不止小米。在2019年9月,OPPO就发布了65W 基于SuperVOOC 2.0技术的氮化镓快充,这也是品牌手机厂商首次将氮化镓快充作为标配。此外据TechRadar报道报道,目前,苹果、三星、华为也计划在今年推出基于氮化镓技术的充电器。
手机大厂的表态,带动了国内相关的LED企业。就在小米发布会结束的第二天,三安光电盘中上涨超7%、士兰微盘中上涨超8%。事实上,关于氮化镓,三安、华灿、士兰微、国星等LED大厂早已进行了多方布局。
三安光电
三安光电主营业务之一,就是以氮化镓为主要材料,进行外延片、芯片以及射频HBT 产品的制造销售。近两年,三安光电围绕这一业务,进行了多项大手笔投资。
2019年,三安光电投入120亿元在湖北省鄂州市葛店经济技术开发区投建Mini/Micro LED显示芯片产业化项目。公司称,项目建成后预计氮化镓芯片系列年产161万片;同年11月,三安光电又发起138亿元募投项目,用于三大板块研发建设,其中就包含氮化镓LED衬底、外延、芯片业务。
今年2月,三安光电在投资者互动平台上表示,公司集成电路氮化镓产品一直在进行产能扩张,目前相关产能约2000片每月。
华灿光电
公开资料显示,华灿光电主营产品之一就是GaN基高亮度蓝、绿光LED芯片,可广泛应用于全彩显示屏、背光源及照明等中高端应用领域。
2018年2月,华灿光电发布公告称,与浙江义乌工业园区管理委员会签署了108亿元的项目投资框架协议,发力9项先进半导体与器件项目,其中就包括氮化镓基激光器与氮化镓基电力电子器件。
2019年11月,华灿光电获批浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室。据华灿光电介绍,公司技术中心由数十位具有*深化合物半导体专业背景和丰富产业经验的归国博士、台湾专家及*深业内人士组成,在第三代半导体材料和器件领域的技术开发方面具有丰富经验。公司当时表示,将持续加大产品研发投入和技术创新,积极布局第三代半导体材料和器件领域,最快或于2020年实现批量生产。
乾照光电
据了解,乾照光电在氮化镓光电器件领域有着多年研发和生产经验。2018年,乾照光电基本建成国内最大单体氮化镓LED 器件生产基地。乾照光电当时表示,随着产能的不断拉升,公司将新增 60 万片/月的氮化镓 LED 外延片和芯片产能,相关总产能达到 100 万片/月。2019年,乾照光电在投资者平台上称,在氮化镓层面,Mini LED第二代产品已完成性能优化,今年8月已与相关客户进行配合验证。
聚灿光电
2020年2月,聚灿光电在投资者平台上明确表示,公司主要产品为氮化镓基高亮度蓝光LED芯片及外延片,主要用于蓝、绿光LED芯片的制造,目前未用于射频前端。
士兰微
2017年12月,士兰微子公司厦门士兰明镓总投资50亿元,建设4英寸、6英寸的化合物芯片生产线,用于砷化镓、氮化镓产品的制造。项目一期计划2021年达产,二期计划2021年启动,2024年达产。
2019年12月,生产线正式试产,其中氮化镓芯片产品已于12月10日正式通线点亮。士兰微表示,该产线项目计划7款产品逐步投入量产,并力争2020年产值达2亿元。
台积电
相关资料显示,晶圆代工大厂台积电在氮化镓工艺上有着长期积累。2017年,公司与氮化镓专业生产商VisIC Technologies,就其用于硅技术的氮化镓达成生产合作协议。
2020年2月,台积电又宣布与意法半导体合作开发GaN,通过此次合作,意法半导体创新的战略性氮化镓产品将采用台积电领先业界的GaN制造工艺。意在瞄准未来电动车应用。意法半导体预计,今年晚些时候会将首批样品交给主要客户。
国星光电
国星光电近期在互动平台上表示,公司旗下国星半导体主营业务就是以蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为材料的LED芯片,其中氮化镓基产品包含蓝绿显屏芯片,数码用芯片,白光照明芯片,车灯用大功率倒装芯片,UVA紫光芯片等。
另据国星光电透露,近日其美国子公司RaySent科技公司将相关硅衬底GaN外延及垂直结构LED芯片的主要技术已转移给国星半导体,由国星半导体在应用场景继续进行上述技术的研发和产业化推进。目前,国星半导体已申请氮化镓专利200多篇,其中硅基氮化镓技术专利4篇。
从上述情况能够看到,氮化镓正在成为LED行业头部企业的“新宠”,尤其是上游LED芯片厂,几乎悉数瞄准了这一方向。IHS Markit市场研究报告预测,GaN功率元件的市场增长快速,预计到2026年市场规模将超十亿美元,除5G通讯市场外,汽车和工业市场正是其主要驱动力。面对广阔的市场前景,LED行业关于第三代半导体的攻防战或将上演。
来源:高工LED
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