KAIST研发新技术，成功突破MicroLED显示器分辨率限制

文章转载自：LEDinside

据Business Korea报道，韩国研究团队KAIST提出一项能够突破Micro LED显示器分辨率限制的技术。新技术有望用来生产高分辨率小显示器，用于VR/AR等装置。

6日，KAIST宣布由电子工程系Kim Sang-hyun教授带领的研究小组研发了采用半导体制造技术生产每英寸超过63,500像素的技术。

Micro LED显示器使用微米尺寸的无机发光二极管作为像素点。鉴于此，红绿蓝（RGB）像素必须紧密排列，但能生产RGB三种颜色的LED材料各不相同，因此，每颗LED必须转录到显示基板上。

然而，在此过程中会产生很多技术难题，如LED转移头的尺寸限制、机械精度及良率降低等问题，因此，很难将此技术应用到超高分辨率的显示器上。

目前，KAIST研究团队已经开发出一种生产高分辨率Micro LED显示器设备的新方法。据悉，他们将红绿蓝LED主动层堆叠在3D空间之后再使用半导体图案化工艺。为解决在垂直堆叠RGB LED过程中产生的颜色干扰以及每个微小像素的效率等问题，该团队在结合面上放置具有滤光片特性的绝缘膜，将红色和蓝色干扰光线消除了97%。最后，研究团队成功实现每英寸超过6万像素的高分辨率，提高了微发光二极管的效率。