克服高像素制程限制！韩国KAIST研发出6万ppi Micro LED

文章转载自：CINNO

韩国研发团队研发出克服Micro LED高像素限制的新技术，未来或能应用至VR、AR等小尺寸超高像素产品的制作。

KAIST(Korea Advanced Institute of Science and Technology)电机与电子工学部Kim Sanghyun教授团队6日表示，利用半导体制程技术研发出63500 ppi以上的Micro LED制造技术。

Micro LED是将无机物LED作为像素点使用的微米单位LED显示技术，是一种备受关注的未来显示技术。Micro LED需要将无机物RGB三色LED像素进行紧密排列，但因三种颜色的LED物质不同，只能是将制作的LED排列到显示基板。

在此过程中的LED转移头的大小、机械准确性的限制、良率等技术难题导致难以实现超高像素的Micro LED。

但本次，研发团队通过红绿蓝LED活化层进行3次元叠加和半导体Patterning制程找到一种可以制作超高像素Micro LED元件的方法。通过在贴合面增加绝缘膜性能的Filter，解决了垂直叠加时的色干扰和超小像素效率问题，解决了97%的红蓝光干扰问题。研发团队通过此种方法实现了六万以上的ppi，并提升了超小型LED的效率。

Kim Sanghyun KAIST 教授表示：本次成果首次见证了利用半导体制程实现超高像素的制作，期待未来可以应用到AR、VR、全息投影等超高像素面板制作。