耕创电子-LED全彩显示屏前景
发光二极管(LED)是近几年来迅速崛起的半导体光电器件,它具有体积小、重量轻、电压低、电流小、亮度高和发光响应速度快等优点,容易与晶体管和集成电路配套使用,可以在许多领域得到应用,因而在全球市场上十分走俏。LED技术在近年来不断获得新的突破,应用范围不断拓宽,已成为新世纪极具发展潜力的电子产品之一。
蓝绿白LED三足鼎立
计算机显示屏已经普遍采用液晶显示。有源矩阵液晶显示器是当前已经大量生产的产品,可以显示色彩丰富的电视图像,但需要较暗的背景,视角较小,尤其是用它制造大尺寸显示屏的成本较高,因此,发光二极管将成为一种更佳的平面显示器件。目前,发光二极管的年销售量已超过20亿美元,到2003年有望突破50亿美元大关,全球LED市场前景广阔,吸引了诸多厂商参与LED新产品的开发生产,市场竞争日趋激烈。
高亮度的红光(GaAs和GaAsP)和黄光(InAlGaP)发光二极管(LED)早已大量生产,长期来因缺少高亮度的蓝与绿光而难以呈现丰富的色彩,近年来高亮度的蓝与绿光发光二极管技术大有长进,产品质量不断提高,给LED市场增光添彩。
厂商们开发的Ⅲ—V族如铝、铟、镓的氮化物AlN、InN、GaN等,其能带隙宽为1.9—6.2eV,能够产生绿光、蓝光和紫外光,成为制造LED的极佳材料。除了以上几种氮化物外,对Ⅱ—Ⅵ族材料也进行了研究。主要是用硒化锌ZnSe制造多层异质结构可发出蓝绿光,实际上器件衬底都用GaAs,因其晶格与ZnSe较匹配,也较易购得到3英寸直径的片子。美国厂商曾开发出以ZnSe为衬底,ZnTeSe为有源层的发光二极管,输出512nm深绿光,而 ZnSe不像GaAs,它对该波长的光是透明的,加上10mA电流时可获得1.3mW,即外部量子效率达5.3%,因而其亮度比用Ⅲ—Ⅴ族氮化物制造的 LED亮度更高。此外,Ⅲ—Ⅴ族氮化物LED已有较长的寿命试验记录,它比GaAs材料更硬、尤其适合于制作耐高温器件。
在各种制造LED的材料当中,尤其以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料最为引人注目,GaN发光效率高,抗辐射性能和耐热性能极佳,强度和硬度高,并且耐酸性强,是一种极具应用价值的半导体材料,因此,氮化镓材料及其合金最适宜于制造短波长发光器件,发光波长范围包括绿、蓝、紫等多种波段,普遍用来制造蓝光和绿光LED。引人注目的是,在蓝光LED技术的基础上以蓝光激发YAG荧光材料而制造成功的白光LED渐成新宠,深受广大用户欢迎,有望成为照明领域的一支新军,因此,目前在全球LED市场上,蓝、绿、白光LED正在开始形成三足鼎立的态势,成为最具发展潜力的LED产品。
我国LED蓬勃发展
我国在LED领域的研究开发工作成绩斐然。目前我国的普绿和高亮度纯红LED已经基本实现商品化,但是,高亮度的纯蓝、纯绿LED在我国尚属空白。目前世界上只有美国Cree公司和日本Nichia公司等少数几家厂商能够生产蓝光和绿光LED。我国国家光电子工艺中心正在从事以Ⅲ~Ⅴ族半导体量子阱结构为基础的新一代光电子器件研究开发,承担国家863计划项目“蓝光LED研制和产业化技术”;我国方大集团与科研院所合作,率先在我国将第三代半导体材料(GaN)用来研制LED,将绿光LED、白光LED等科研成果实现产业化。该集团首期将投资8000万元,形成年产1.2亿支蓝光LED的生产能力,在 LED市场上重拳出击。近几年来我国LED显示屏的生产已经逐步形成行业规模,市场规模每年约为3.5亿~4亿人民币。
我国台湾LED产业非常发达,早在90年代初已经名列世界第三位。目前台湾LED产品市场占有率已达28%,超过了美国,位居世界LED市场第二位,产品 80%以上外销,主要销往韩国、日本、美国和欧洲等地。目前台湾LED业主要是向全彩化、高亮度和大型化的方向发展。
近年来,LED显示屏的关键控制技术随着超大规模集成电路(VLSI)的发展而日趋完善,EPLD、DSP以及FPGA已经得到广泛应用,一些厂商正在研发专用的LED控制集成电路。LED显示屏与LCD、PDP等同类平板显示屏产品比较,由于LED产品具有性能稳定、寿命较长、功耗较小以及价格低廉等优势,因此在各种实际应用中具有较强的市场竞争力,其市场前景十分广阔。
蓝绿白LED三足鼎立
计算机显示屏已经普遍采用液晶显示。有源矩阵液晶显示器是当前已经大量生产的产品,可以显示色彩丰富的电视图像,但需要较暗的背景,视角较小,尤其是用它制造大尺寸显示屏的成本较高,因此,发光二极管将成为一种更佳的平面显示器件。目前,发光二极管的年销售量已超过20亿美元,到2003年有望突破50亿美元大关,全球LED市场前景广阔,吸引了诸多厂商参与LED新产品的开发生产,市场竞争日趋激烈。
高亮度的红光(GaAs和GaAsP)和黄光(InAlGaP)发光二极管(LED)早已大量生产,长期来因缺少高亮度的蓝与绿光而难以呈现丰富的色彩,近年来高亮度的蓝与绿光发光二极管技术大有长进,产品质量不断提高,给LED市场增光添彩。
厂商们开发的Ⅲ—V族如铝、铟、镓的氮化物AlN、InN、GaN等,其能带隙宽为1.9—6.2eV,能够产生绿光、蓝光和紫外光,成为制造LED的极佳材料。除了以上几种氮化物外,对Ⅱ—Ⅵ族材料也进行了研究。主要是用硒化锌ZnSe制造多层异质结构可发出蓝绿光,实际上器件衬底都用GaAs,因其晶格与ZnSe较匹配,也较易购得到3英寸直径的片子。美国厂商曾开发出以ZnSe为衬底,ZnTeSe为有源层的发光二极管,输出512nm深绿光,而 ZnSe不像GaAs,它对该波长的光是透明的,加上10mA电流时可获得1.3mW,即外部量子效率达5.3%,因而其亮度比用Ⅲ—Ⅴ族氮化物制造的 LED亮度更高。此外,Ⅲ—Ⅴ族氮化物LED已有较长的寿命试验记录,它比GaAs材料更硬、尤其适合于制作耐高温器件。
在各种制造LED的材料当中,尤其以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料最为引人注目,GaN发光效率高,抗辐射性能和耐热性能极佳,强度和硬度高,并且耐酸性强,是一种极具应用价值的半导体材料,因此,氮化镓材料及其合金最适宜于制造短波长发光器件,发光波长范围包括绿、蓝、紫等多种波段,普遍用来制造蓝光和绿光LED。引人注目的是,在蓝光LED技术的基础上以蓝光激发YAG荧光材料而制造成功的白光LED渐成新宠,深受广大用户欢迎,有望成为照明领域的一支新军,因此,目前在全球LED市场上,蓝、绿、白光LED正在开始形成三足鼎立的态势,成为最具发展潜力的LED产品。
我国LED蓬勃发展
我国在LED领域的研究开发工作成绩斐然。目前我国的普绿和高亮度纯红LED已经基本实现商品化,但是,高亮度的纯蓝、纯绿LED在我国尚属空白。目前世界上只有美国Cree公司和日本Nichia公司等少数几家厂商能够生产蓝光和绿光LED。我国国家光电子工艺中心正在从事以Ⅲ~Ⅴ族半导体量子阱结构为基础的新一代光电子器件研究开发,承担国家863计划项目“蓝光LED研制和产业化技术”;我国方大集团与科研院所合作,率先在我国将第三代半导体材料(GaN)用来研制LED,将绿光LED、白光LED等科研成果实现产业化。该集团首期将投资8000万元,形成年产1.2亿支蓝光LED的生产能力,在 LED市场上重拳出击。近几年来我国LED显示屏的生产已经逐步形成行业规模,市场规模每年约为3.5亿~4亿人民币。
我国台湾LED产业非常发达,早在90年代初已经名列世界第三位。目前台湾LED产品市场占有率已达28%,超过了美国,位居世界LED市场第二位,产品 80%以上外销,主要销往韩国、日本、美国和欧洲等地。目前台湾LED业主要是向全彩化、高亮度和大型化的方向发展。
近年来,LED显示屏的关键控制技术随着超大规模集成电路(VLSI)的发展而日趋完善,EPLD、DSP以及FPGA已经得到广泛应用,一些厂商正在研发专用的LED控制集成电路。LED显示屏与LCD、PDP等同类平板显示屏产品比较,由于LED产品具有性能稳定、寿命较长、功耗较小以及价格低廉等优势,因此在各种实际应用中具有较强的市场竞争力,其市场前景十分广阔。